三星电子计划在明年2月的国际固态电路会议上展示HBM4。这款HBM4容量为36GB，带宽达到3.3TB/s，相比之前展出的36GB、24TB/s的HBM4，在带宽上有显著提升。三星通过堆叠结构和重新设计接口提高了速度和能效。行业人士指出，三星在每个通道上应用了硅通孔路径的对准信号自动校准技术，以提高高速区间的信号准确度，并针对AI大模型等高流量场景进行了优化。

与此同时，SK海力士也将在同一会议上公开下一代存储技术。他们将展示单Pin速率达14.4Gb/s的LPDDR6内存，配备基于低压差稳压器的WCK时钟分配架构，以保持信号稳定，相比上一代LPDDR5X有更高性能。此外，SK海力士还将展示GDDR7显存，其单Pin速度最高可达48Gb/s，容量为24Gb，支持通道分成两部分同时进行读写操作，适用于GPU、AI边缘推理和高分辨率游戏等场景。

ISSCC 2026将于明年2月15日至19日在美国旧金山举行，参会者主要是企业研究人员，预计会有许多接近量产的新技术首次亮相。